MT41K512M8RH-125 IT:E TR

在追求极致性能与稳定性的道路上，您的下一代设备是否正面临内存带宽与能效的瓶颈？想象一下，一颗能够同时驾驭高速运算与严苛环境的内存芯片，将如何彻底释放您设计的潜能。今天，我们向您隆重介绍MT41K512M8RH-125 IT:E TR，这颗来自美光科技的DDR3L SDRAM芯片，正是为突破而生。它不仅仅是一个4Gb的存储单元，更是您构建高性能、高可靠性系统的坚实基石。其高达800MHz的时钟频率与低至13.75ns的访问时间，意味着数据吞吐如闪电般迅捷，让您的应用告别等待，流畅运行。

无论是工业自动化中需要7x24小时不间断运行的控制器，还是车载信息娱乐系统在颠簸与极端温度下的稳定需求，甚至是网络通信设备对海量数据并发处理的高压挑战，MT41K512M8RH-125 IT:E TR都能从容应对。它宽达-40°C至95°C的工作温度范围，确保了在酷热或严寒的极端环境下，性能依然坚若磐石。1.283V至1.45V的低电压供电设计，在提供强劲动力的同时，显著降低了系统整体功耗，为您的设备带来更长的续航与更低的发热，完美契合绿色、节能的现代设计理念。

选择MT41K512M8RH-125 IT:E TR，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它采用成熟的78-TFBGA封装，易于表面贴装，能有效简化您的生产流程，提升制造良率。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为存量项目升级或特定高要求场景下的珍贵之选。为确保您能获得稳定、可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的美光芯片代理进行采购。这不仅是获得正品芯片的保障，更是为您的项目全程保驾护航，让您能够心无旁骛地专注于创新与实现。

• 型号:MT41K512M8RH-125 IT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
• MT41K512M8RH-125 IT:E TR的官网价格：2000:$6.47410，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。