




MT41K512M8RH-125:E
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:78-FBGA(9x10.5)
- 技术参数:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
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MT41K512M8RH-125:E参数详情:
在追求极致性能与稳定性的数字世界里,您的下一个项目是否正为寻找一颗可靠、高效的内存核心而踌躇?想象一下,当数据处理需求如潮水般涌来,系统响应却依然丝滑流畅,那将是怎样一种从容与自信?这一切,从选择MT41K512M8RH-125:E开始。
这颗来自美光科技的4Gb DDR3L SDRAM芯片,绝非普通的存储器。它采用先进的1.35V低电压设计,在提供高达800MHz时钟频率的同时,显著降低了系统整体功耗,让您的设备在性能与能效之间取得完美平衡。13.75ns的快速访问时间,意味着数据触手可及,能瞬间响应处理器指令,彻底消除性能瓶颈,让复杂计算与多任务处理行云流水。无论是应对突发的数据洪峰,还是持续的高负载运行,它都能以稳定的表现,成为您系统中最坚实的后盾。
它的舞台遍布各个尖端领域。在工业自动化产线上,它确保控制系统的实时性与可靠性,让精密机械臂的每一个动作都精准无误;在高端网络通信设备中,它助力数据包的高速转发与交换,保障信息洪流的畅通无阻;在需要长时间稳定运行的嵌入式系统与存储服务器中,其宽温(0°C ~ 95°C)特性与表面贴装工艺,提供了卓越的环境适应性与连接可靠性。选择它,就是为您的创新应用注入一颗强劲而稳定的“数据心脏”。
为何MT41K512M8RH-125:E能成为众多工程师心中的理想之选?答案在于其经过市场验证的成熟性与卓越的价值组合。虽然该型号已进入停产周期,但其经典的DDR3L架构、512M x 8的行业标准组织方式以及78-TFBGA封装,使其与大量现有主板设计完美兼容,极大降低了您的硬件改造成本与研发风险。这意味着,您无需为升级内存而重新设计整个系统,即可轻松获得性能提升。对于寻求稳定供应与高性价比解决方案的项目而言,通过可靠的美光芯片代理渠道获取这颗芯片,无疑是确保项目进度、控制整体成本的明智之举。它代表的不仅是一颗芯片,更是一份历经考验的可靠承诺,助您将创意稳健地转化为现实竞争力。
- 型号:MT41K512M8RH-125:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA(9x10.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA(9x10.5)
- MT41K512M8RH-125:E的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















