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MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR供应商
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MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:存储器,产品封装:96-TFBGA
- 技术参数:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR参数详情:
在追求极致性能与可靠性的道路上,您的下一个设计是否正为寻找一颗能应对严苛环境、同时提供澎湃数据吞吐能力的内存核心而困扰?答案或许就藏在MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR之中。这颗来自美光科技的8Gb DDR3L SDRAM,不仅仅是一颗存储器,更是您构建下一代高性能、高可靠性系统的基石。它凭借高达933MHz的时钟频率和仅20ns的访问时间,为您带来疾风骤雨般的数据处理速度,无论是复杂的实时计算还是海量数据流的瞬间吞吐,都能轻松驾驭,让您的产品性能表现始终快人一步。
想象一下,在智能汽车的中控系统中,流畅无延迟的多屏互动与高清地图渲染;在工业自动化产线上,对高速运动控制与视觉检测数据的即时响应;或是在户外通信设备中,于酷暑严寒下依然稳定运行。这正是MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR大显身手的舞台。它专为汽车级(AEC-Q100)和严苛工业环境打造,工作温度范围宽达-40°C至105°C,确保您的产品在任何极端条件下都坚如磐石。其1.283V至1.45V的低电压供电,不仅显著降低了系统功耗,更契合了当今绿色、节能的设计潮流,让高效能与低功耗完美共存。
选择这颗芯片,意味着您选择了一份经得起考验的可靠承诺。它采用先进的96-TFBGA封装,体积紧凑,非常适合空间受限的现代电子设计。其“有源”的产品状态和卷带(TR)包装,保障了供应链的稳定与生产贴装的高效。当您需要这样一颗集高性能、高可靠性与低功耗于一身的顶级汽车级DRAM时,与值得信赖的美光中国代理合作,无疑是获得正品保障、技术支持与稳定供货的最佳途径。让MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR成为您产品的“最强大脑”,共同开启稳定、高效、卓越的新篇章。
- 制造商产品型号:MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:Automotive, AEC-Q100
- 零件状态:有源
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb(512M x 16)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933MHz
- 写周期时间-字,页:15ns
- 访问时间:20ns
- 电压-供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:96-TFBGA
- MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR的官网价格:117.72647,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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