MT41K256M8DA-125:K TR

在追求极致性能与能效平衡的今天，您的下一代嵌入式系统或消费电子设备，是否还在为内存的选择而犹豫？想象一下，当您的产品在800MHz的高频下流畅运行，同时功耗却显著降低，那将是怎样的竞争优势？这一切，MT41K256M8DA-125:K TR都能为您实现。作为美光科技DDR3L SDRAM家族中的明星成员，它不仅仅是一颗存储芯片，更是您产品提速降耗、赢得市场的关键引擎。

这颗芯片的魅力，首先在于它卓越的能效表现。采用先进的DDR3L技术，工作电压低至1.283V至1.45V，相比标准DDR3，功耗可降低约15%至20%。这意味着在移动设备、便携式医疗仪器或持续运行的网络设备中，它能显著延长电池续航，降低系统发热，让您的产品在“绿色节能”的赛道上轻松领先。同时，高达800MHz的时钟频率和13.75ns的快速访问时间，确保了数据吞吐的迅猛与流畅，无论是处理复杂的图形渲染、高速数据采集还是多任务并行运算，都能游刃有余，彻底释放主处理器的潜能。

其应用场景广泛而深入。从需要稳定可靠运行的工业自动化控制板、汽车信息娱乐系统，到追求轻薄长续航的超极本、平板电脑，再到对实时性要求严苛的安防监控与通信基站，MT41K256M8DA-125:K TR都能完美融入。其2Gb（256M x 8）的容量配置，为系统设计提供了灵活的内存空间；78-TFBGA的紧凑封装，非常适合空间受限的现代电子设计，帮助您打造更小巧、更集成的产品。选择它，就是为您的产品注入了美光科技领先的存储基因与卓越品质。

为何众多领先企业将其作为首选？答案在于综合价值的最大化。它不仅提供了高性能与低功耗的黄金组合，其0°C至95°C的宽工作温度范围（TC）更确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性，大大提升了产品的环境适应能力和使用寿命。当您通过值得信赖的美光一级代理进行采购时，您获得的不仅是正品保障和具有竞争力的价格，更是从技术选型支持到稳定供货的全周期服务，让您的项目推进无后顾之忧。在竞争激烈的市场里，一个正确的核心元件选择，往往决定了产品的最终高度。让MT41K256M8DA-125:K TR成为您产品创新的坚实后盾，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:MT41K256M8DA-125:K TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• MT41K256M8DA-125:K TR的官网价格：1:$16.90000|2000:$11.44220，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。