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MT41K256M8DA-125 AAT:K TR

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:78-FBGA(8x10.5)
  • 技术参数:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT41K256M8DA-125 AAT:K TR参数详情:

在追求极致性能与可靠性的道路上,您的下一代汽车电子或工业控制系统是否正面临内存带宽与稳定性的双重挑战?现在,答案来了。我们隆重推出由行业巨头美光科技匠心打造的MT41K256M8DA-125 AAT:K TR,这不仅仅是一颗DRAM芯片,更是您产品实现飞跃的关键动力引擎。它专为严苛环境而生,集高性能、高可靠性与低功耗于一身,旨在为您的设计注入澎湃且稳定的数据流,让复杂应用运行如丝般顺滑。

想象一下,在智能座舱的多屏互动中,高清地图与娱乐信息无缝切换,毫无卡顿;在高级驾驶辅助系统(ADAS)的实时决策中,海量传感器数据被瞬间处理,响应迅如闪电;在工业自动化产线上,控制指令精准同步,确保生产流程毫厘不差。这些激动人心的场景,正是MT41K256M8DA-125 AAT:K TR大显身手的舞台。其800MHz的高时钟频率与13.75ns的快速访问时间,意味着数据吞吐能力大幅提升,能够轻松驾驭多任务并行处理与实时计算需求,彻底释放主处理器的潜能,为用户带来流畅无阻的极致体验。

为何众多领先企业将信任票投给这颗芯片?因为它超越了普通商用级元件的标准。作为符合AEC-Q100标准的车规级产品,它历经了严酷的可靠性验证,能够在-40°C至105°C的极端温度范围内稳定工作,无惧寒暑考验,保障您的产品在全生命周期内的持久耐用。其DDR3L技术搭配1.35V标准电压(工作范围1.283V~1.45V),在提供强劲性能的同时,显著降低了系统功耗与发热,为设备能效优化和紧凑型设计创造了更多空间。选择它,就是选择了一份来自原厂的品质承诺与长期供货保障,我们的美光授权代理身份确保您能便捷地获得正品货源与专业的技术支持。当您寻求一个能同时满足高性能、高可靠性和未来升级需求的存储解决方案时,MT41K256M8DA-125 AAT:K TR无疑是您最明智、最值得信赖的选择。

  • 型号:MT41K256M8DA-125 AAT:K TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(8x10.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:256M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:13.75 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(8x10.5)
  • MT41K256M8DA-125 AAT:K TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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