




MT41K256M16TW-107 AT:P
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:96-FBGA(8x14)
- 技术参数:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
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MT41K256M16TW-107 AT:P参数详情:
在追求极致性能与稳定性的数字世界里,您是否正在为下一代嵌入式系统、工业控制或网络设备寻找一颗可靠的内存核心?MT41K256M16TW-107 AT:P正是您期待已久的答案。作为美光科技DDR3L家族中的成熟典范,这颗4Gb并行DRAM芯片以其卓越的能效比和工业级可靠性,为您的关键应用注入澎湃且稳定的数据动力。它不仅是一颗存储器,更是您产品在激烈市场竞争中保持领先地位的坚实基石。
想象一下,在自动化产线的精密控制器中,数据需要被高速、无误地实时处理;在户外严苛环境下的通信基站里,设备必须承受温度骤变仍稳定运行;在要求24小时不间断服务的网络存储与服务器中,内存的持久与高效直接关乎业务命脉。这正是MT41K256M16TW-107 AT:P大显身手的舞台。其1.35V的低电压(DDR3L)设计,在提供933MHz高速时钟频率的同时,显著降低了系统整体功耗,为设备带来更长的续航与更低的发热。而宽达-40°C至95°C的工作温度范围,让它无惧严寒酷暑,从容应对工业与汽车领域的极端环境挑战,确保您的产品在任何角落都坚若磐石。
选择MT41K256M16TW-107 AT:P,意味着您选择了一份经过市场长期验证的卓越品质。其256M x 16的组织结构为系统设计提供了灵活的带宽选择,20ns的快速访问时间确保了数据响应的即时性。尽管该部件已处于停产状态,但其成熟的工艺、广泛的行业应用基础以及稳定的供应链支持,使其成为许多经典产品升级与长期维护项目的理想之选。通过与值得信赖的Micron代理商合作,您不仅能获得正品保障与可靠的供货支持,更能获取专业的技术选型建议,确保这颗久经考验的“心脏”在您的系统中完美匹配,持续释放价值。让MT41K256M16TW-107 AT:P成为您可靠产品蓝图中的关键一环,共同构建更高效、更稳定的智能未来。
- 型号:MT41K256M16TW-107 AT:P
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA(8x14)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA(8x14)
- MT41K256M16TW-107 AT:P的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

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