




MT41K1G8RKB-107:N
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:78-FBGA(8x10.5)
- 技术参数:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
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MT41K1G8RKB-107:N参数详情:
在追求极致性能与能效平衡的嵌入式系统中,您是否曾为寻找一颗既能提供稳定高速数据吞吐,又能显著降低整体功耗的DDR3L内存而烦恼?现在,答案就在眼前。MT41K1G8RKB-107:N的到来,正是为了终结这种两难选择。它不仅仅是一颗内存芯片,更是您系统性能跃升、能效优化的关键引擎,专为那些对可靠性和效率有严苛要求的应用场景而生。
想象一下,在工业自动化控制的核心单元里,海量的传感器数据需要被实时处理与响应;在网络通信设备的交换矩阵中,数据包必须以极高的速度被缓存和转发;或者在高端消费电子产品的复杂运算背后,流畅的多任务体验离不开内存的强力支撑。这正是MT41K1G8RKB-107:N大展身手的舞台。它凭借高达933MHz的时钟频率和仅20ns的快速访问时间,确保了数据流的畅通无阻,让您的系统告别卡顿与延迟。同时,其1.283V至1.45V的低电压供电范围,完美契合了DDR3L(低电压DDR3)技术的精髓,在提供强劲性能的同时,大幅降低了系统功耗与发热,为设备的长久稳定运行和节能环保贡献了关键力量。
选择MT41K1G8RKB-107:N,意味着您选择了一个经过市场验证的可靠伙伴。它采用成熟的78-TFBGA表面贴装封装,工艺稳定,易于集成到各种紧凑的PCB设计中。其宽广的0°C至95°C工作温度范围,使其能够从容应对从温和室内环境到严苛工业现场的各种挑战。尽管该型号已进入停产状态,但其卓越的性能指标和广泛的适用性,使其在存量市场和新项目备选方案中依然极具价值。对于寻求高性价比、稳定供货的成熟解决方案的工程师和采购决策者而言,这颗芯片代表了一种明智而务实的选择。我们作为值得信赖的美光中国代理,致力于为您提供专业的技术支持和可靠的供应链服务,帮助您将这颗高性能芯片的价值最大化,赋能您的创新产品在市场中脱颖而出。
- 型号:MT41K1G8RKB-107:N
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA(8x10.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA(8x10.5)
- MT41K1G8RKB-107:N的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















