




MT41K128M16JT-125 V:K
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:96-FBGA(8x14)
- 技术参数:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT41K128M16JT-125 V:K参数详情:
在追求极致性能与稳定性的数字世界里,您是否正在寻找一颗能够承载关键数据、驱动系统流畅运行的可靠内存核心?MT41K128M16JT-125 V:K正是为此而生。作为美光科技DDR3L家族中的成熟典范,这颗2Gb并行DRAM芯片以其卓越的能效比和稳定的性能表现,在众多应用场景中证明了其非凡价值。它不仅仅是一个存储单元,更是您系统高效、稳定运行的基石,为您的产品注入持久而强劲的数据处理动力。
想象一下,在工业自动化控制系统中,复杂的逻辑运算与实时数据交换需要内存毫秒级的响应与绝对的可靠性;在网络通信设备中,海量数据包的快速吞吐是保障网络畅通无阻的关键;而在嵌入式显示终端或高端消费电子中,流畅的图形界面与多媒体体验同样离不开高速内存的强力支持。MT41K128M16JT-125 V:K凭借其800MHz的时钟频率与13.75ns的快速访问时间,能够轻松应对这些严苛挑战,确保数据流的无缝衔接与系统响应的即时性。其宽泛的工作温度范围(0°C至95°C)更使其无惧恶劣环境,在工业、通信及汽车电子等领域展现出强大的环境适应性。
选择这颗芯片,意味着您选择了一个经过市场长期验证的成熟解决方案。尽管其零件状态标注为停产,但这恰恰代表了其技术成熟、供应链稳定(通过可靠的Micron代理商仍可获得持续支持),且在特定存量市场和长期供货项目中拥有不可替代的成本与可靠性优势。其1.283V至1.45V的低电压供电(DDR3L技术)为您带来了显著的节能效益,有助于降低系统整体功耗与发热。采用96-TFBGA封装,节省宝贵的PCB空间,非常适合高密度板卡设计。无论是用于产品升级、旧系统维护,还是对成本与可靠性有极致要求的特定新项目,MT41K128M16JT-125 V:K都能以出色的性价比和久经考验的品质,成为您值得信赖的伙伴,助您的产品在竞争中稳操胜券。
- 型号:MT41K128M16JT-125 V:K
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA(8x14)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA(8x14)
- MT41K128M16JT-125 V:K的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















