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MT40A512M8SA-062E AIT:F TR

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:78-FBGA(7.5x11)
  • 技术参数:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT40A512M8SA-062E AIT:F TR参数详情:

在当今数据驱动的世界里,您的设备是否还在为内存带宽不足而苦苦挣扎?当应用需求日益复杂,系统响应速度成为决胜关键时,选择一颗性能卓越、稳定可靠的内存芯片,就是为您的产品注入澎湃动力。今天,我们向您隆重推荐来自美光科技的明星产品MT40A512M8SA-062E AIT:F TR。这款采用先进DDR4技术的4Gb SDRAM,正是为应对高负荷、高并发的严苛场景而生。其高达1.6GHz的时钟频率与仅19ns的访问时间,意味着数据吞吐的瓶颈将被大幅突破,无论是实时处理海量数据流,还是瞬间加载复杂指令集,都能做到行云流水,让您的系统性能表现从此脱胎换骨。

想象一下,在工业自动化控制系统中,传感器数据如潮水般涌来,需要被即时分析与响应;在网络通信设备的核心交换层,每秒都有数百万个数据包等待路由与转发;在高端嵌入式计算平台,复杂的算法模型正渴求着更快的数据供给。MT40A512M8SA-062E AIT:F TR正是为这些挑战而设计的利器。它512M x 8的并行架构,提供了宽广的数据通道,配合高效的并联接口,确保在多任务并行处理时依然能保持极低的延迟。其宽广的-40°C至95°C工作温度范围,更是赋予了它无与伦比的环境适应性,无论是酷热的户外通信基站,还是严寒的工业现场,都能稳定运行,成为您产品可靠性的坚实基石。

那么,在众多内存解决方案中,为何独独要选择它?答案在于其带来的综合价值远超一颗芯片本身。选择美光原厂高品质的MT40A512M8SA-062E AIT:F TR,意味着您选择了经过市场验证的成熟方案、卓越的能效表现(1.14V~1.26V的低电压供电)以及长期稳定的供货保障。通过与值得信赖的美光代理商合作,您不仅能获得正品货源和技术支持,更能将这款高性能内存无缝集成到您的设计中,显著提升终端产品的竞争力。它不仅仅是一个组件,更是您加速产品上市、赢得市场先机的战略伙伴。立即行动,让这款强大的DDR4内存芯片,成为您下一代智能设备飞跃的起点。

  • 型号:MT40A512M8SA-062E AIT:F TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(7.5x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:19 ns
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x11)
  • MT40A512M8SA-062E AIT:F TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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