MT40A2G8JC-062E:E TR

当您的下一代高性能计算设备面临数据洪流时，是否曾为存储系统的速度与稳定性瓶颈而困扰？想象一下，一个能瞬间响应、海量吞吐且坚如磐石的存储核心，将如何彻底释放您设计的全部潜能。今天，我们为您带来的正是这样一款划时代的解决方案MT40A2G8JC-062E:E TR，它不仅仅是一颗存储器芯片，更是驱动创新加速的引擎。

这款基于尖端DDR4技术的16Gb并行闪存，以其高达1.6GHz的时钟频率和惊人的数据带宽，为您的高速应用注入澎湃动力。无论是处理4K/8K超高清视频流、运行复杂的人工智能算法，还是在数据中心进行实时大数据分析，它都能确保数据如闪电般在处理器与存储器之间自由穿梭，彻底告别等待。其低至1.14V~1.26V的工作电压，在提供极致性能的同时，显著优化了系统能效，让您的产品在激烈的市场竞争中兼具力量与智慧。

选择MT40A2G8JC-062E:E TR，就是选择了一份来自存储技术领袖的可靠承诺。它源自美光科技的卓越品质，确保了从工业自动化到高端消费电子，从网络通信到汽车计算等广泛领域的卓越适应性与长期稳定性。其0°C至95°C的宽温工作范围，让它即使在严苛环境下也能从容应对。更重要的是，通过与值得信赖的美光中国代理合作，您不仅能获得这颗性能标杆芯片，更能享受到从技术选型支持到稳定供应链保障的全方位服务，让您的产品上市之路更加顺畅、高效。

• 型号:MT40A2G8JC-062E:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:2G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:19 ns
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9x11）
• MT40A2G8JC-062E:E TR的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。