




MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(9x11)
- 技术参数:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR参数详情:
在追求极致性能与可靠性的智能设备时代,您是否还在为存储方案的选择而犹豫?当数据洪流汹涌而至,一款能够稳定承载、高速响应的核心存储芯片,就是您产品决胜市场的秘密武器。今天,我们向您隆重介绍来自美光科技的明星产品MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR,这颗专为严苛环境而生的8Gb NAND闪存芯片,将以其卓越的稳定性和强大的性能,为您的创新蓝图注入坚实动力。
想象一下,在飞驰的汽车中,车载信息娱乐系统需要瞬间加载高清地图与流媒体;在工业生产线旁,智能控制器必须毫秒不差地记录海量传感器数据;甚至在户外极端气候下,监控设备仍需稳定保存每一帧关键影像。这些挑战,正是MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR大显身手的舞台。它拥有1.7V至1.95V的宽电压供电范围,更能从容应对电源波动。其核心魅力在于通过了严苛的AEC-Q100汽车级认证,工作温度横跨-40°C到105°C,无论是冰天雪地还是炎炎夏日,性能始终如一,数据万无一失。这意味着,您可以将它放心地集成到汽车电子、工业自动化、高端消费电子等对可靠性要求极高的领域,彻底告别因存储故障导致的系统宕机与数据丢失风险。
选择MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR,就是选择了一份面向未来的保障。它采用先进的63-VFBGA封装和表面贴装技术,不仅节省了宝贵的PCB空间,更为大规模自动化生产提供了便利。其8Gb(1G x 8)的存储容量,通过并联接口实现高效数据传输,足以满足复杂应用对速度和空间的双重渴求。更重要的是,当您通过值得信赖的Micron代理商获取此芯片时,您获得的不仅仅是一个组件,更是美光科技全球领先的存储技术、稳定的供货链以及专业的技术支持。这能让您的产品研发周期大幅缩短,快速将稳定可靠的终端产品推向市场,在激烈的竞争中牢牢占据先机。
- 型号:MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















