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MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:存储器,产品封装:132-VBGA
  • 技术参数:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR参数详情:

在数据洪流席卷全球的今天,您的下一代智能设备是否还在为存储性能的瓶颈而妥协?当海量数据需要被瞬间捕捉、高速处理和可靠保存时,一颗强大的存储核心就是决定产品成败的关键。MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR的到来,正是为了终结这种妥协。作为美光科技精心打造的旗舰级NAND闪存解决方案,它不仅仅是一颗芯片,更是您产品性能飞跃的基石,为您的设计注入澎湃的数据动力与无限可能。

想象一下,在工业自动化产线上,高清视觉传感器每秒产生数GB的图像数据,需要被实时分析与存储;或在高端车载信息娱乐系统中,复杂的操作系统、高清地图与用户数据必须被瞬间响应。这正是MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR大显身手的舞台。其高达512Gb(64GB)的海量存储空间,如同一个永不枯竭的数据仓库,轻松容纳海量应用与内容。而并联接口与高达333MHz的时钟频率,则构建了一条超宽的数据高速公路,确保数据读写如行云流水,彻底告别卡顿与延迟,让您的设备在任何严苛场景下都表现得游刃有余。

选择它,就是选择了一份来自产业巨头的品质承诺。美光科技在存储领域的深厚积淀,确保了这颗芯片从设计到生产的每一个环节都经得起最严格的考验。其宽温工作范围(-40°C ~ 85°C)意味着无论是北国的严寒还是赤道的酷热,它都能稳定运行,可靠性无可挑剔。132-VBGA的紧凑封装与表面贴装设计,为您节省了宝贵的PCB空间,让产品设计更加灵活精巧。当您追求极致的性能、无与伦比的可靠性和卓越的设计灵活性时,MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR无疑是您最明智的决策。我们作为值得信赖的美光中国代理,不仅为您提供这颗卓越的芯片,更提供全方位的技术支持与供应链保障,助您将顶尖的存储性能快速、稳妥地融入您的创新产品中,共同开启智能存储的新纪元。

  • 制造商产品型号:MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:512Gb(64G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:333MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR的官网价格:139.65907,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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