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MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E供应商
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MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:132-VBGA(12x18)
- 技术参数:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E参数详情:
在数据洪流奔涌的时代,您的设备是否还在为存储性能的瓶颈而苦苦挣扎?当海量信息需要被瞬间捕捉、高速处理和可靠保存时,一颗强大而稳定的存储核心,就是决定产品成败的关键。今天,我们为您带来存储解决方案的卓越之选MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E,这颗来自美光科技的512Gb NAND闪存芯片,正是为满足您对极致性能与可靠性的渴望而生。
想象一下,无论是工业自动化产线上高速运转的机器视觉系统,还是数据中心里处理海量请求的服务器,亦或是高端车载信息娱乐系统流畅播放的4K地图与影音,都需要一颗能够承受严苛环境、提供澎湃数据吞吐能力的心脏。MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E凭借其高达267MHz的时钟频率与并联接口,能够轻松应对这些高带宽、低延迟的应用场景,确保数据流如高速公路般畅通无阻。其宽泛的2.7V至3.6V工作电压范围和-40°C到85°C的工业级工作温度,意味着它能在电力波动剧烈或温差巨大的环境中依然稳定运行,为您的产品注入全天候、全地形的可靠基因。
选择它,不仅仅是选择了一颗存储芯片,更是选择了一个值得信赖的性能伙伴。其MLC NAND技术,在容量、性能和耐久性之间取得了精妙的平衡,64G x 8的架构为系统设计提供了灵活性和高效率。表面贴装的132-VBGA封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,更确保了在紧凑型设备中的高可靠性集成。当您需要为下一代智能设备寻找存储基石时,MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E所提供的512Gb海量空间和工业级品质,将直接转化为您产品的核心竞争力和市场口碑。我们作为专业的美光中国代理,不仅提供这颗卓越的芯片,更提供从选型支持到供应链保障的全方位服务,助力您的创意从蓝图走向辉煌现实。
- 型号:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA(12x18)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND(MLC)
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
- MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E的官网价格:1120:$37.51250,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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