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MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR供应商
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MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(9x11)
- 技术参数:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR参数详情:
在追求极致性能与稳定性的嵌入式世界里,您是否还在为寻找一颗能够经受严苛环境考验、提供可靠数据存储的核心元件而烦恼?现在,答案已经揭晓。MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR,这颗源自美光科技(Micron Technology)的4Gb并行NAND闪存芯片,正是为应对挑战而生。它不仅仅是一个存储单元,更是您产品在复杂应用场景下稳定运行的坚实后盾,以其工业级的卓越品质,重新定义了嵌入式存储的可靠性标准。
想象一下,在零下40度的严寒或高达85度的酷热环境中,您的工业控制设备、车载信息系统或户外通信装置依然需要流畅无误地记录和读取关键数据。MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR宽广的工作温度范围(-40°C ~ 85°C)使其成为这些严苛应用的理想选择。其1.7V至1.95V的低电压供电需求,不仅意味着更低的功耗,为便携式设备延长续航,也体现了其对能效的精准把控。无论是自动化产线上的实时数据日志,还是智能交通系统中的海量信息缓存,这颗芯片都能提供稳定、非易失的存储空间,确保数据在断电后依然安全无虞。
选择MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR,就是选择了一份经过市场验证的成熟与可靠。尽管其零件状态标注为停产,但这恰恰证明了其经典的设计和卓越的性能在过往的众多项目中得到了广泛应用和信赖,对于许多现有系统的维护、升级或特定批量的生产而言,它依然是不可或缺的关键组件。其63-VFBGA的紧凑封装和表面贴装型设计,便于集成到高密度的PCB布局中,帮助您优化产品内部空间。更重要的是,通过我们美光授权代理,您可以获得正品保障和稳定的供货支持,确保您的供应链安全无虞。让这颗凝聚美光尖端存储技术的芯片,为您的产品注入强大的数据心脏,驱动创新,赢在未来。
- 型号:MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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