




MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:100-VBGA(12x18)
- 技术参数:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
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MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR参数详情:
在追求极致性能与可靠性的存储解决方案时,您是否曾为寻找一颗能够承载海量数据、响应迅捷且稳定如一的闪存芯片而反复权衡?答案或许就藏在MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR之中。这颗来自美光科技的32Gb并行NAND闪存,不仅仅是一个存储单元,更是您产品性能飞跃的基石。它拥有高达100MHz的时钟频率,如同为数据流开辟了一条宽阔的高速公路,确保读写操作行云流水,毫无迟滞。在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作,无论是面对复杂的工业环境还是消费电子的严苛要求,都能展现出卓越的适应性与耐久力,让您的设计从起点就赢在可靠性上。
想象一下,在工业自动化控制系统中,它作为核心数据记录单元,实时存储庞大的传感器数据与运行日志,确保生产信息不丢失;在高端网络设备与通信基础设施里,它快速缓存配置信息与临时数据,保障网络畅通无阻;即便在那些需要长期、稳定存储关键代码或用户数据的嵌入式应用中,其非易失的特性也意味着断电后信息依然完好无损。这颗芯片的0°C至70°C工作温度范围,使其能够从容应对从室内设备到部分严苛环境的应用挑战,表面贴装的100-VFBGA封装更节省了宝贵的PCB空间,为产品的小型化与集成化设计提供了强大支持。
选择MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR,就是选择了一份源自全球存储领袖美光科技的品质背书。虽然该型号已进入停产状态,但其成熟的设计、经过市场长期验证的稳定性,以及通过正规渠道如美光授权代理所能获取的可靠货源与技术支持,对于许多现有产品线的维护、升级或特定长期项目而言,依然是极具价值的稳妥之选。它代表的是一种历经考验的解决方案,能够有效降低您的系统设计风险,确保产品生命周期内的供应链稳定与性能一致。将这样一颗久经沙场的“老兵”融入您的设计,无疑是为产品的核心竞争力注入了一剂强心针。
- 型号:MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA(12x18)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:32Gb
- 存储器组织:4G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA(12x18)
- MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















