




MT29F2G08ABDHC-ET:D TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(10.5x13)
- 技术参数:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
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MT29F2G08ABDHC-ET:D TR参数详情:
在当今数据驱动的世界里,您的嵌入式设备是否还在为存储方案的稳定性与可靠性而担忧?当面对严苛的工业环境或复杂的消费电子应用时,选择一款经得起考验的存储核心至关重要。今天,我们向您隆重推荐一款在众多关键项目中久经沙场的闪存解决方案MT29F2G08ABDHC-ET:D TR。尽管它已进入停产状态,但这恰恰证明了其卓越的成熟度与广泛的市场验证,对于追求长期稳定供应和极高可靠性的存量项目与特定升级需求而言,它依然是无可替代的经典之选。
这款来自美光科技的2Gb NAND闪存芯片,以其并联接口和1.8V标准电压供电,为系统设计带来了极高的灵活性和兼容性。其宽泛的工作温度范围(-40°C至85°C)意味着无论是北方的严寒户外,还是南方夏季闷热的设备内部,它都能稳定运行,确保数据万无一失。这种与生俱来的坚韧品质,让它成为工业自动化控制、网络通信设备、汽车电子系统以及高端消费电子产品的“记忆中枢”。想象一下,在自动化生产线上,它默默记录着每一道工序的参数;在行车记录仪中,它忠实保存着每一帧关键画面;在物联网网关里,它高效处理着海量的传感数据MT29F2G08ABDHC-ET:D TR正是这些场景背后沉默而可靠的功臣。
那么,为何在芯片迭代迅速的今天,我们依然力荐这款经典产品?答案在于“价值”与“风险控制”。对于已经成熟量产或处于维护周期的项目,更换核心存储器件意味着巨大的重新验证成本和潜在风险。Micron代理商能够为您提供可靠的库存渠道与供应链支持,确保您能持续获得这款经过时间考验的芯片,从而保障产品线的长期稳定,避免因元器件切换带来的意外故障。选择它,就是选择了一份经过市场千锤百炼的可靠性背书,就是为您的产品选择了一个无需担忧的存储基石。它代表的不仅是一颗芯片,更是一种稳健、可靠的设计哲学,让您能够将精力专注于产品创新与市场开拓,而无后顾之忧。
- 型号:MT29F2G08ABDHC-ET:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(10.5x13)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(10.5x13)
- MT29F2G08ABDHC-ET:D TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















