




MT29F2G08ABBEAH4:E
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(9x11)
- 技术参数:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
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MT29F2G08ABBEAH4:E参数详情:
在当今数据驱动的世界里,您的嵌入式系统或消费电子设备是否还在为存储方案的稳定性与成本效益而烦恼?想象一下,一颗经过市场长期验证、性能可靠的闪存芯片,能为您的产品带来怎样的持久竞争力?今天,我们向您隆重推荐这颗历经考验的存储核心MT29F2G08ABBEAH4:E。它不仅仅是一个组件,更是您产品数据基石的有力保障。
源自美光科技的成熟工艺,这颗2Gb容量的NAND闪存芯片,以其并联接口和1.7V至1.95V的低电压供电特性,天生就是为高效、稳定的数据存储任务而设计。它能在0°C至70°C的宽温范围内稳定工作,确保您的设备在各种环境下都能可靠运行,无论是智能家居中的控制模块,还是工业环境中的数据采集终端,它都能默默无闻地承载起关键数据的存取重任。其表面贴装的63-VFBGA封装,更便于集成到紧凑的现代PCB设计中,为您的产品节省宝贵的空间。
选择MT29F2G08ABBEAH4:E,就是选择了一份经过时间淬炼的安心。虽然它已进入停产周期,但这恰恰证明了其经典的设计和广泛的市场认可度,对于许多成熟产品线的延续、备货或特定项目而言,它依然是极具性价比的可靠之选。我们作为值得信赖的美光授权代理,能够为您提供正品保障和稳定的供货渠道,让您在选型时再无后顾之忧。它代表的是一种务实的产品哲学:不追求不必要的迭代,而是专注于在已被验证的轨道上,为您的产品提供坚实、不妥协的数据存储性能。
当您需要为一个成熟、稳定且对成本敏感的项目寻找存储解决方案时,这颗芯片的价值便凸显无疑。它避免了采用全新平台可能带来的未知风险与适配成本,让您的团队能够将精力聚焦于产品核心功能的优化与创新。让MT29F2G08ABBEAH4:E成为您产品中那个沉默却强大的“记忆中枢”,守护每一比特数据的完整与安全,助力您的产品在市场中稳健前行。
- 型号:MT29F2G08ABBEAH4:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- MT29F2G08ABBEAH4:E的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















