




MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(9x11)
- 技术参数:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR参数详情:
在数据洪流奔涌的时代,您的嵌入式系统是否还在为存储方案的稳定性与可靠性而担忧?想象一下,在严苛的工业环境中,从-40°C的严寒到85°C的高温,数据依然能毫发无损地被读取与写入,这正是MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR为您带来的核心承诺。这颗来自美光科技的2Gb NAND闪存芯片,不仅仅是一个存储单元,更是您产品在恶劣环境下稳定运行的坚实后盾。它采用先进的63-VFBGA封装,体积小巧却能量巨大,1.7V至1.95V的低电压供电设计,在保证高性能的同时,显著优化了系统的整体功耗,让您的设备续航更持久,运行更经济。
无论是穿梭于四季的户外通信基站,还是日夜不停运转的工业自动化控制器,亦或是需要经受颠簸与温变的车载信息娱乐系统,这款芯片都能完美融入。其并联接口确保了高速的数据吞吐能力,而256M x 8的经典组织架构,则让系统设计工程师能够轻松地进行数据管理和寻址,大大缩短了开发周期。选择它,就是为您的产品选择了一份全天候的“数据保险”,确保关键信息在任何挑战面前都固若金汤。当您需要为关键项目寻找值得信赖的存储解决方案时,与专业的美光代理商合作,不仅能获得这颗高品质的芯片,更能得到从选型到技术支持的全链路服务,让创新之路畅通无阻。
那么,为何众多领先企业最终将目光锁定在这颗芯片上?答案在于其无可替代的价值组合。尽管它已处于停产状态,但其卓越的可靠性和经过市场长期验证的稳定性,使其成为许多存量产品升级或长期供货项目中的“宝藏”之选。它代表的是一种经得起时间考验的工业级品质,一种让您无需在性能与耐用性之间做妥协的安心。对于追求极致稳定和拥有长期生命周期规划的产品而言,这颗芯片提供的不是最前沿的规格,而是最值得信赖的保障。它让您的设计免于数据丢失的困扰,让您的终端用户享受始终如一的流畅体验,这恰恰是产品赢得市场口碑与长久生命力的基石。
- 型号:MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















