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MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR供应商
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MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(9x11)
- 技术参数:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR参数详情:
在追求极致性能与可靠性的嵌入式世界里,您是否正在寻找一款能够从容应对严苛环境,同时提供稳定数据存储的闪存解决方案?今天,我们为您带来答案MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR。这款来自美光科技的2Gb NAND闪存芯片,不仅仅是一个存储元件,更是您产品稳定运行、数据万无一失的坚实后盾。它集成了业界领先的制造工艺与设计理念,旨在为您的工业控制、汽车电子或物联网设备注入持久而强劲的存储动力。
想象一下,在零下40度的严寒或高达105度的酷热环境中,您的设备依然需要精准记录每一份数据,执行每一个指令。MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR正是为此而生。其宽广的工业级工作温度范围(-40°C ~ 105°C)让它无畏极端气候挑战,无论是部署在户外通信基站、飞驰的汽车引擎控制单元旁,还是嵌入在高温工厂的生产线设备中,都能确保数据存取如常,性能不打折扣。其并联接口设计,提供了高速的数据吞吐能力,让您的系统响应更加迅捷,处理海量信息时游刃有余。
选择MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR,意味着您选择了一份超越标准的可靠性承诺。2.7V至3.6V的宽电压供电,有效提升了系统在电压波动情况下的适应性,增强了整体方案的鲁棒性。63-VFBGA的紧凑封装与表面贴装特性,非常适合空间受限的现代电子设计,帮助您实现产品的小型化与高集成度。更重要的是,通过与值得信赖的美光芯片代理合作,您不仅能获得这颗性能卓越的芯片,更能享受到原厂品质保障、稳定的供货支持以及专业的技术服务,让您的产品从研发到量产全程无忧。这不仅仅是一次元器件采购,更是一次为产品竞争力加码的战略投资。
- 型号:MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E TR的官网价格:1000:$4.24624,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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