




MT29F256G08CMCABH2-10Z:A TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:100-TBGA(12x18)
- 技术参数:IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
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MT29F256G08CMCABH2-10Z:A TR参数详情:
在数据洪流的时代,您的设备是否还在为存储性能的瓶颈而妥协?当速度、容量与可靠性成为决胜关键,MT29F256G08CMCABH2-10Z:A TR的出现,正是为了打破这一僵局。这款来自美光科技的256Gb NAND闪存芯片,以其并联接口和高达100MHz的时钟频率,为您带来的是疾风骤雨般的数据吞吐体验。它不仅仅是一颗存储芯片,更是您产品性能跃升的强力引擎,让海量数据的写入与读取变得前所未有的流畅与高效。
想象一下,在工业自动化产线上,高速传感器源源不断地产生着数据,需要被实时、可靠地记录与分析;在高端网络设备中,庞大的配置信息与日志文件需要瞬间响应;或者在那些对空间和功耗极为敏感的嵌入式系统中,稳定的大容量存储是功能实现的基石。这正是MT29F256G08CMCABH2-10Z:A TR大显身手的舞台。其2.7V至3.6V的宽电压供电范围和0°C至70°C的工业级工作温度,确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行,表面贴装的100-TBGA封装更是为紧凑型设计提供了完美的解决方案。选择它,就是为您的产品注入了持久且强大的数据心脏。
那么,在众多存储方案中,为何要青睐这颗芯片?答案在于其无可替代的价值组合。高达256Gb(32G x 8)的存储容量,意味着您可以用单颗芯片承载更复杂的应用与更丰富的内容,极大简化了系统设计。并联接口架构与100MHz的时钟频率协同工作,提供了卓越的并行数据处理能力,显著减少了等待时间,提升了整体系统响应速度。虽然该型号已处于停产状态,但其成熟可靠的工艺与经过市场长期验证的性能,使其成为特定领域升级或延续产品生命周期的绝佳选择。更重要的是,通过值得信赖的美光中国代理,您不仅能获得正品保障,还能得到专业的技术支持与供应链服务,让您的产品开发与生产全无后顾之忧。拥抱MT29F256G08CMCABH2-10Z:A TR,就是拥抱一个更高效、更可靠的数据未来。
- 型号:MT29F256G08CMCABH2-10Z:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-TBGA(12x18)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND(MLC)
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-TBGA
- 供应商器件封装:100-TBGA(12x18)
- MT29F256G08CMCABH2-10Z:A TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















