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MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR供应商
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MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:132-VBGA(12x18)
- 技术参数:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR参数详情:
在数据爆炸的时代,您的设备是否还在为存储空间和读写速度而妥协?想象一下,无论是处理4K高清视频流,还是运行复杂的实时数据库,都能获得如闪电般迅捷且稳定可靠的存储支持这正是MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR为您带来的核心价值。作为美光科技旗下的一款高性能并行NAND闪存解决方案,它不仅仅是一颗芯片,更是您产品性能飞跃的基石,专为应对严苛应用环境而生,让海量数据存取变得前所未有的轻松高效。
当您在设计企业级存储阵列、高端网络设备或工业自动化控制系统时,对存储器的要求绝不仅仅是容量。这款芯片高达1Tb(128GB)的存储容量,结合333MHz的时钟频率与并联接口,意味着它能以惊人的速度吞吐数据,彻底消除系统瓶颈。无论是数据中心里需要7x24小时不间断运行的服务器,还是户外严苛环境下工作的嵌入式设备,其0°C至70°C的宽温工作范围和稳定的2.5V~3.6V供电电压,都确保了极致的可靠性与耐久性。选择它,就是为您的产品注入了强大的“数据心脏”,让复杂应用运行如丝般顺滑。
为什么众多领先厂商在关键项目中都信赖这款芯片?答案在于它带来的综合竞争优势。其132-VBGA封装不仅节省了宝贵的PCB空间,更利于散热和稳定连接,非常适合高密度集成设计。非易失的特性保证了断电后数据安全无虞,而表面贴装型则适配现代化高速生产线。更重要的是,通过值得信赖的美光中国代理,您可以获得从这颗尖端芯片到完整技术支援的一站式服务,确保供应链稳定与设计成功。这不仅仅是选择了一个组件,更是选择了一个能加速产品上市、提升终端用户体验并最终赢得市场的战略伙伴。让MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR成为您下一个明星产品的强大引擎,开启存储性能的新纪元。
- 型号:MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA(12x18)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Tb
- 存储器组织:128G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
- MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR的官网价格:1000:$24.11789,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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