




MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:存储器,产品封装:272-VFBGA
- 技术参数:IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR参数详情:
在数据洪流的时代,您的设备是否还在为海量信息的存储与高速吞吐而苦苦挣扎?想象一下,无论是运行复杂的AI算法,还是处理4K/8K超高清视频流,都需要一颗能够承载巨大数据量并实现闪电般响应的核心存储器。现在,答案就在眼前来自美光科技的旗舰级存储解决方案MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR,正以其高达1.5Tb的磅礴容量和267MHz的疾速时钟频率,彻底重塑高性能存储的边界。它不仅仅是一颗芯片,更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的关键引擎。
这颗芯片的能量,在众多前沿领域都能得到淋漓尽致的发挥。在数据中心,它能作为高速缓存或存储阵列的核心,轻松应对服务器虚拟化、大数据分析带来的海量随机读写需求,确保业务永不间断。在专业级视频监控与广播设备中,其并联接口与巨大容量让长时间、多通道的超高清视频录制与即时回放变得流畅无比。对于工业自动化、高端网络设备以及下一代车载信息娱乐系统而言,其宽广的0°C至70°C工作温度范围和稳定的2.7V~3.6V供电,意味着它能在各种严苛环境下可靠运行,成为系统坚实的数据基石。选择它,就是为您的产品注入了美光领先的NAND闪存技术基因。
那么,为何众多行业领导者都将信任票投给这款产品?其根本在于它提供了无与伦比的“密度”与“速度”的平衡艺术。1.5Tb(192G x 8)的存储容量在272-VFBGA的紧凑封装内实现,极大地节省了宝贵的PCB空间,让您的设计更紧凑、功能更强大。267MHz的时钟频率配合并联接口,带来了极高的数据带宽,显著减少了系统等待时间,提升了整体响应效率。无论是追求极致性能的企业级应用,还是注重稳定可靠的工业场景,它都能完美适配。当您通过值得信赖的美光芯片代理获取这颗芯片时,您获得的不仅是一个组件,更是一整套经过市场验证的高性能存储解决方案,以及从选型到供应的全程专业支持,让您的创新之路再无后顾之忧。
- 制造商产品型号:MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1.5Tb(192G x 8)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267MHz
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:272-VFBGA
- MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR的官网价格:有源,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















