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MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR供应商
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MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:存储器,产品封装:63-VFBGA
- 技术参数:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR参数详情:
在追求极致性能与可靠性的嵌入式世界里,您是否正在寻找一款能承载关键数据、应对严苛环境的存储解决方案?今天,我们为您带来一个不容错过的选择MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR。这款来自美光科技的1Gb并行NAND闪存芯片,不仅仅是一个存储单元,更是您产品稳定运行、数据万无一失的坚实后盾。它代表着工业级品质与前沿技术的完美融合,专为那些对性能和可靠性有苛刻要求的应用场景而生。
想象一下,在工业自动化产线上,设备需要7x24小时不间断运行,记录海量的生产数据与日志;在车载信息娱乐系统中,系统需要在极寒或酷暑中快速启动,流畅加载地图与多媒体内容;又或者在网络通信设备中,固件与配置信息必须被安全、稳定地存储与读取。这正是MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR大显身手的舞台。其宽温工作范围(-40°C至85°C)确保了它在各种极端气候下依然表现稳定,而1.7V至1.95V的低电压供电特性,则能有效帮助您的整体设计降低功耗,延长设备续航。其紧凑的63-VFBGA封装,非常适合空间受限的现代电子设备,让您在追求高性能的同时,无需在PCB布局上做出妥协。
选择MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR,就是选择了一份源自全球存储巨头美光科技的品质承诺。我们作为值得信赖的美光授权代理,不仅确保您获得原装正品,更提供专业的技术支持与稳定的供货保障。这颗芯片的并行接口设计,提供了高速的数据吞吐能力,让您的系统读写操作更加高效;1Gb(64M x 16)的容量,为程序代码、用户数据、系统日志提供了充裕的存储空间。无论是升级现有产品线,还是开发面向未来的创新设备,它都能以卓越的可靠性和出色的性能,成为您设计中那颗最让人放心的“记忆核心”。
- 制造商产品型号:MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb(64M x 16)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:63-VFBGA
- MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR的官网价格:有源,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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