




MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(9x11)
- 技术参数:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
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MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR参数详情:
在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统中,您是否曾为存储方案的可靠性与响应速度而困扰?当数据吞吐成为系统瓶颈,当严苛环境考验着每一个元件,选择一颗真正值得信赖的闪存芯片,就是为您的产品注入一颗强劲而稳定的心脏。今天,我们向您隆重推荐来自存储巨擘美光科技的卓越解决方案MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR,这颗1Gb并行NAND闪存芯片,正是为应对复杂挑战而生的存储利器。
想象一下,在工业自动化生产线的主控板上,它正以并联接口的高速优势,实时记录着庞大的生产数据与设备状态,确保每一道工序的精准可追溯;在户外通信基站的核心模块里,它凭借-40°C至85°C的宽温工作能力,无畏严寒酷暑,保障数据通信的持续稳定。无论是智能电表需要长期可靠地存储能耗数据,还是汽车电子中的信息娱乐系统需要快速读取多媒体文件,这颗芯片都能游刃有余地提供坚实的存储支持。其1.7V至1.95V的低电压供电特性,更是为注重能效的便携式与电池供电设备带来了福音,在延长续航的同时丝毫不妥协于性能。
为何MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR能成为众多工程师在关键项目中的首选?答案在于美光科技深厚的存储技术底蕴与对品质的严苛追求。它采用成熟的63-VFBGA封装,节省宝贵空间的同时确保了出色的散热与焊接可靠性,非常适合高密度的表面贴装应用。尽管该型号已处于停产状态,但其卓越的稳定性和经过大量市场验证的兼容性,使其在需要长期供应保障和极高可靠性的领域,如工业控制、通信基础设施等领域,依然拥有不可替代的价值。选择它,意味着您选择了一个经过时间考验的、低风险的成熟方案。当然,对于这类经典器件的稳定供应,与一个可靠的Micron代理商合作至关重要,他们能为您提供专业的库存支持与供应链服务,确保您的生产计划顺畅无阻。
- 型号:MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















