




MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(9x11)
- 技术参数:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR参数详情:
在追求极致性能与稳定性的嵌入式世界里,您是否还在为寻找一颗可靠、高效且能应对严苛环境的大容量存储核心而烦恼?今天,我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越答案MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR。这颗来自美光科技的1Gb NAND闪存芯片,以其工业级的坚韧品质和并行接口的迅捷响应,早已成为众多成熟设计方案中不可或缺的“数据基石”。它不仅仅是一个存储元件,更是您产品在复杂应用场景下稳定运行的信心保障。
想象一下,在自动化工厂的生产线上,设备需要持续记录运行日志和工艺参数;在飞驰的高铁或严冬户外运行的监控设备中,系统必须无视温度剧烈变化,确保关键数据毫发无损。这正是MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR大放异彩的舞台。其宽广的-40°C至85°C工业级工作温度范围,让它从容应对极端环境挑战。1.7V至1.95V的低电压供电设计,在保证高速数据吞吐的同时,显著优化了系统的整体功耗,特别适合对续航和散热有严苛要求的嵌入式应用。无论是工业控制、汽车电子、网络通信还是高端消费类产品,它都能提供坚实可靠的非易失性存储解决方案,让您的产品在竞争中赢得关于“可靠性”的关键一分。
选择MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR,就是选择了一份经过时间淬炼的成熟与稳定。作为一款曾广泛应用于各领域的经典型号,它拥有极高的市场认可度和丰富的应用案例参考,能大幅降低您的设计风险和验证周期。其128M x 8的并行接口配置,提供了高效的数据传输路径,尤其适合需要快速存储和读取大量数据的系统。虽然该型号已进入停产周期,但其卓越的性能和广泛的存量需求,使其在特定市场和长期供货项目中依然拥有不可替代的价值。通过值得信赖的美光中国代理渠道,您依然可以获取这批品质如一的“老兵”,为您的成熟产品线注入持续的生命力,保障生产与维护的连贯性。拥抱这颗经典芯片,就是拥抱一份历经考验的卓越与安心。
- 型号:MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- MT29F1G08ABBDAH4-IT:D TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















