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MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR供应商
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MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(9x11)
- 技术参数:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR参数详情:
在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统中,您是否正在寻找一款能够承载海量数据、应对严苛环境挑战的存储解决方案?今天,我们为您带来一款来自存储巨头的明星产品MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR。这款由美光科技精心打造的1Gb NAND闪存芯片,不仅仅是一个存储单元,更是您产品可靠性的坚实基石。它采用先进的并行接口和紧凑的63-VFBGA封装,在仅为2.7V至3.6V的低电压下高效运行,却能在-40°C到85°C的广阔温度范围内稳定工作,这意味着无论您的设备身处冰天雪地还是酷热环境,数据都能被安全、完整地保存。
想象一下,在工业自动化产线上,设备需要7x24小时不间断记录生产日志和传感器数据;在车载导航与信息娱乐系统中,地图与多媒体文件需要被快速读取且经受住颠簸与温度变化的考验;在智能安防摄像头中,高清视频流需要被实时、流畅地写入存储介质。MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR正是为这些高要求场景而生。其128M x 8的存储结构,提供了充裕的空间和高效的并行数据吞吐能力,让您的设备在处理复杂任务时游刃有余,用户体验流畅无阻。
选择MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR,就是选择了一份源自美光科技的品质承诺。作为全球领先的存储解决方案提供商,美光的产品以高性能和高可靠性著称。而通过我们美光中国代理,您不仅能获得这颗有源、稳定供货的优质芯片,还能享受到专业的技术支持、灵活的卷带(TR)或剪切带(CT)包装选项,以及高效的供应链服务。这不仅能简化您的采购流程,更能为您的产品从设计到量产的全周期保驾护航,显著提升市场竞争力。立即行动,让这颗强大的“数据心脏”为您的创新注入持久动力!
- 型号:MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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