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MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR供应商
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MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:132-VBGA(12x18)
- 技术参数:IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR参数详情:
在追求极致性能与稳定性的嵌入式世界里,您是否还在为寻找一款能够承载海量数据、响应迅捷且久经考验的存储核心而费心?答案或许就藏在MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR这颗闪存芯片之中。它不仅仅是一个存储单元,更是您构建高性能系统的坚实基石,源自业界巨头美光科技的成熟工艺,以其高达128Gb(16G x 8)的磅礴容量和166MHz的并联接口速度,为数据洪流开辟了一条宽阔而迅捷的高速通道。
想象一下,在工业自动化产线上,它能够稳定记录海量的传感器数据与生产日志;在高端网络设备中,它可轻松承载复杂的固件与配置信息,确保设备启动与运行的瞬间响应;即便在需要大量本地媒体缓存或数据记录的消费电子领域,其2.7V至3.6V的宽电压适应性与0°C至70°C的工作温度范围,也意味着它能从容应对各种复杂环境,提供持久可靠的存储服务。这款非易失性NAND闪存,正是为那些对数据可靠性和存取效率有严苛要求的应用场景而生。
选择MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR,意味着您选择了一份经过市场长期验证的成熟与稳定。虽然该型号已进入停产周期,但这恰恰证明了其经典的设计与卓越的品质,在存量市场中依然极具价值,尤其适合对长期供应有规划、追求高性价比与可靠性的项目。更重要的是,通过正规的美光授权代理渠道获取,您不仅能确保产品的原装正品品质,还能获得专业的技术支持与供应链保障,让您的产品设计与生产无后顾之忧。这不仅仅是一次元器件采购,更是一次为产品注入持久生命力与卓越竞争力的智慧投资。
- 型号:MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA(12x18)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Gb
- 存储器组织:16G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
- MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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