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MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR供应商
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MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:存储器,产品封装:-
- 技术参数:IC FLASH 128GBIT PARALLEL 267MHZ
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR参数详情:
在数据洪流奔涌的今天,您的设备是否还在为存储速度与容量瓶颈而苦苦挣扎?想象一下,当指令下达的瞬间,海量数据便能以267MHz的澎湃频率高速响应,这是一种怎样的畅快体验?这正是MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR为您带来的核心价值它不仅仅是一颗128Gb容量的NAND闪存芯片,更是驱动您产品性能飞跃的强劲心脏。源自美光科技的卓越工艺,这颗并行接口闪存芯片以其非易失的特性,确保数据安全永固,而2.7V至3.6V的宽电压供电范围,则赋予了它在复杂供电环境下的出色适应性与可靠性。
无论是工业自动化产线上需要实时记录大量传感数据,还是高端网络设备要求快速缓存与转发巨量数据包,甚至是需要稳定存储高清媒体内容的嵌入式系统,MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR都能游刃有余地担当重任。它的16G x 8位宽组织架构,配合高达267MHz的时钟频率,意味着更宽的数据通道和更快的传输速率,能显著减少系统等待时间,让数据处理如行云流水。在0°C至70°C的工作温度范围内,它始终保持稳定输出,是那些要求7x24小时不间断运行的严苛应用的理想之选。
选择这颗芯片,就是为您的产品选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。尽管其零件状态标注为停产,但这恰恰证明了其经典的设计与可靠的品质曾在无数关键应用中经受住考验,对于许多现有系统升级或特定领域持续生产而言,它依然是值得信赖的基石。通过专业的美光代理商渠道获取,您不仅能确保产品的原装正品与可靠供应,更能获得专业的技术支持与供应链保障。让MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR的强大存储效能,成为您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的秘密武器,赋能创新,加速成功。
- 制造商产品型号:MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC FLASH 128GBIT PARALLEL 267MHZ
- 产品系列:存储器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Gb(16G x 8)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267MHz
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:-
- 产品封装:-
- MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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