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MT29E256G08CECCBH6-6:C TR供应商
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MT29E256G08CECCBH6-6:C TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:152-VBGA(14x18)
- 技术参数:IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
MT29E256G08CECCBH6-6:C TR参数详情:
当您的下一代智能设备需要处理海量数据时,存储性能是否会成为制约创新的瓶颈?答案就在MT29E256G08CECCBH6-6:C TR这颗闪存芯片中。作为美光科技精心打造的256Gb NAND闪存解决方案,它不仅仅是一个存储单元,更是您产品性能飞跃的基石。想象一下,在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定运行,配合高达167MHz的时钟频率,它能以惊人的速度吞吐数据,让您的设备在处理高清视频流、复杂算法或庞大数据库时,始终快人一步,响应如飞。
这颗芯片的能量,在众多前沿领域都能大放异彩。无论是工业自动化中需要实时记录大量传感器数据,还是高端网络设备中承载高速缓存,甚至是需要可靠数据存储的嵌入式系统,它都能轻松胜任。其并联接口设计,确保了数据传输的高带宽和低延迟,而0°C至70°C的宽温工作范围,则赋予了产品在多种环境下稳定运行的坚韧品质。选择它,就是为您的产品注入了强大的“记忆中枢”,让海量信息存取变得高效而从容。
那么,为何众多领先企业将MT29E256G08CECCBH6-6:C TR作为关键项目的首选?答案在于其无可替代的价值组合。它提供了极高的存储密度(32G x 8),在紧凑的152-VBGA封装内实现了巨大的容量,帮助您优化产品空间布局。尽管该型号已停产,但其成熟可靠的架构和经过市场验证的性能,使其成为特定升级或延续产品生命周期项目的理想选择。通过与值得信赖的美光代理商合作,您不仅能获得这颗高品质芯片,更能获得专业的技术支持和供应链保障,确保您的项目从设计到量产一路畅通。这不仅仅是一次元器件采购,更是一次为产品竞争力加码的战略投资。
- 型号:MT29E256G08CECCBH6-6:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-VBGA(14x18)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 152VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-VBGA
- 供应商器件封装:152-VBGA(14x18)
- MT29E256G08CECCBH6-6:C TR的官网价格:1000:$29.85000,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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