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MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:132-VBGA(12x18)
  • 技术参数:IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR参数详情:

当您的下一代数据中心或企业级存储系统需要处理海量数据时,是否曾为存储密度与性能的平衡而困扰?现在,答案就在眼前。我们隆重介绍MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR,这颗来自存储巨头美光科技的1.5Tb NAND闪存芯片,正是为打破瓶颈、释放潜能而生。它不仅仅是一个存储单元,更是您构建高效、可靠数据基石的强大引擎。

想象一下,在您的服务器阵列或高端固态硬盘中,单颗芯片即可提供高达192GB的存储空间,这种前所未有的密度意味着什么?它意味着更少的物理空间占用、更低的整体功耗以及更简化的系统设计。无论是构建高密度全闪存阵列,还是为人工智能训练、大数据分析平台提供高速数据缓存,这颗芯片都能轻松应对。其并联接口确保了高速的数据吞吐能力,让海量数据的写入与读取如行云流水,彻底告别等待,让您的应用始终快人一步。

选择MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR,就是选择了一份来自产业领导者的品质承诺。美光科技在存储领域的深厚积淀,确保了这颗芯片在0°C至70°C的宽温范围内稳定工作,2.5V至3.6V的宽电压供电也赋予了它出色的兼容性与适应性。其132-VBGA的表面贴装封装,专为现代高密度PCB板设计,让生产集成更加高效可靠。虽然该型号已进入停产周期,但其卓越的性能和可靠性使其成为特定高端、长生命周期项目或库存备料的绝佳选择。要获取这颗经典且强大的芯片,联系值得信赖的美光代理商是关键一步,他们能为您提供专业的选型支持与可靠的货源保障。

在数据为王的时代,存储核心的每一次升级都意味着竞争力的飞跃。让MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR成为您产品蓝图中的核心拼图,用它磅礴的存储能力和久经考验的稳定性,为您的客户交付无与伦比的数据体验,共同开启存储效能的新纪元。

  • 型号:MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:132-VBGA(12x18)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:1.5Tb
  • 存储器组织:192G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:132-VBGA
  • 供应商器件封装:132-VBGA(12x18)
  • MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR的官网价格:1000:$110.51250,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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