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MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT供应商
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MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:137-TFBGA(10.5x13)
- 技术参数:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137TFBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT参数详情:
在追求极致性能与稳定性的嵌入式系统设计中,您是否曾为存储方案的选型而反复权衡?当速度、容量与功耗需要完美平衡时,MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT的出现,正是为了终结这种选择困境。这颗来自美光科技的杰出芯片,将4Gb NAND闪存与4Gb移动LPDRAM创新性地集成于单一封装,不仅提供了高达8Gb的复合存储容量,更以200MHz的时钟频率和并联接口,为数据的高速吞吐铺平了道路。它不仅仅是一个存储器,更是您产品性能飞跃的基石,让系统响应如丝般顺滑,数据处理能力跃升新台阶。
想象一下,在智能汽车的中控系统中,它能够同时保障地图数据的快速读取与多媒体应用的流畅运行;在工业自动化设备里,它确保关键程序与实时数据的可靠存储与高速访问;在高端移动设备或便携式医疗仪器中,其1.7V至1.95V的低电压供电范围和宽温工作特性,意味着在严苛环境下依然能保持稳定高效的输出。这正是美光芯片代理为您带来的核心价值将顶尖的原厂技术与实际应用场景深度结合,提供真正解决痛点的方案。选择这颗芯片,就是为您的产品注入了美光经过市场验证的存储基因,其137-TFBGA的紧凑封装,更是为空间受限的现代电子设计提供了极大的灵活性。
为何众多领先厂商在关键项目中信赖它?答案在于其无可替代的整合价值。在单一芯片上实现非易失性存储与高速运行内存的协同,极大地简化了PCB布局,降低了系统复杂度与整体功耗,同时提升了可靠性。尽管该型号已进入停产状态,但其卓越的设计与稳定的性能使其在特定高端及长生命周期项目中依然拥有旺盛的需求和独特的选型优势。对于追求系统精简、性能可靠且对供应链有长期规划的开发者而言,它代表了一种经久耐用的品质承诺。携手可靠的合作伙伴,锁定这颗性能标杆,让您的产品在竞争中始终快人一步,稳如磐石。
- 型号:MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:137-TFBGA(10.5x13)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137TFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性,易失性
- 存储器格式:FLASH,RAM
- 技术:闪存 - NAND,移动 LPDRAM
- 存储容量:4Gb(NAND),4Gb(LPDRAM)
- 存储器组织:256M x 16(NAND),128M x 32(LPDRAM)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:137-TFBGA
- 供应商器件封装:137-TFBGA(10.5x13)
- MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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