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MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT

  • 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
  • 类别封装:存储器,产品封装:137-VFBGA
  • 技术参数:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137VFBGA
  • (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT参数详情:

在追求极致性能与能效平衡的移动设备设计中,您是否曾为存储方案的选型而反复权衡?当市场对更快的应用加载、更流畅的多任务处理和更持久的续航提出更高要求时,MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT的出现,正是为了完美回应这一挑战。这颗来自美光科技的创新芯片,将高性能NAND闪存与低功耗移动LPDRAM巧妙地集成于单一封装,不仅大幅节省了宝贵的PCB空间,更通过优化的并联接口与高达200MHz的时钟频率,为数据吞吐提供了澎湃动力。它意味着您的产品能够同时获得高速的数据存取能力和卓越的能效表现,在激烈的市场竞争中率先构建起难以逾越的技术护城河。

想象一下,搭载了这颗芯片的智能手机或平板电脑,能够瞬间启动大型游戏,应用切换如行云流水,后台任务持续运行而电量消耗却微乎其微。这正是MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT所擅长的舞台。它专为对空间、功耗和性能都极为苛刻的移动及嵌入式应用而生,无论是需要快速响应的智能穿戴设备、要求长时间稳定工作的工业手持终端,还是追求轻薄与性能兼具的高端消费电子产品,它都能游刃有余。其宽广的-25°C至85°C工作温度范围,更是确保了在多样化的环境条件下依然稳定可靠,让您的产品设计无惧挑战,从容应对全球市场的复杂需求。

选择MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT,不仅仅是选择了一颗高性能的存储芯片,更是选择了一个经过市场验证的成熟解决方案。它代表了美光在存储技术领域的深厚积淀,其4Gb NAND与2Gb LPDRAM的黄金组合,在提供充足容量的同时,通过1.7V~1.95V的低电压供电,将功耗控制到极致。对于正在寻找可靠供应链与顶尖技术支持的工程师和采购决策者而言,与值得信赖的美光芯片代理合作,意味着您不仅能获得这颗优质芯片,更能获得从技术选型到库存支持的全方位服务,有效加速产品上市进程,降低总体拥有成本,让您的创新想法更快、更稳地转化为市场成功。

  • 制造商产品型号:MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:散装
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:FLASH,RAM
  • 技术:闪存 - NAND,移动 LPDRAM
  • 存储容量:4Gb(256M x 16)(NAND),2Gb(128M x 16)(LPDRAM)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:137-VFBGA
  • MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT的官网价格:停产,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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