EDF8164A3PK-JD-F-R

在追求极致性能与能效平衡的移动计算时代，您是否还在为设备的内存瓶颈而困扰？当流畅的多任务处理、高清视频播放和大型游戏加载成为用户的基本期待，选择一颗强大的内存芯片就是为您的产品注入灵魂的关键。今天，我们为您隆重介绍来自存储巨头的卓越解决方案EDF8164A3PK-JD-F-R，这颗基于美光先进技术的LPDDR3 SDRAM，正是您突破性能壁垒、打造卓越用户体验的秘密武器。

想象一下，在您的智能手机、平板电脑或高性能嵌入式设备中，这颗芯片正以高达933MHz的时钟频率飞速运转，8Gb（128M x 64）的大容量为复杂应用提供了充裕的数据暂存空间。其并联接口设计确保了高速、稳定的数据传输，让应用切换如丝般顺滑，大型文件加载瞬间完成。更令人惊喜的是，它在提供澎湃动力的同时，还保持着出色的能效表现，1.14V至1.95V的宽电压供电范围，结合移动LPDDR3技术的低功耗特性，能显著延长便携设备的续航时间，让性能与续航不再是对立的选择题。这正是我们作为美光一级代理，为您带来的原厂品质与稳定供应的价值所在。

无论是需要快速响应的车载信息娱乐系统、要求长时间稳定运行的工业控制设备，还是追求轻薄与性能兼具的下一代消费电子产品，EDF8164A3PK-JD-F-R都能完美融入。它能在-30°C到85°C的宽温范围内稳定工作，适应各种严苛环境；216-WFBGA的表面贴装封装，则满足了现代电子产品对高集成度和小型化的追求。选择它，不仅仅是选择了一颗存储器，更是选择了一个经过市场验证的可靠伙伴，它能帮助您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更快的速度、更长的续航和更稳定的表现脱颖而出，直接转化为用户的满意度和品牌忠诚度。

• 型号:EDF8164A3PK-JD-F-R
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• EDF8164A3PK-JD-F-R的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。