EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR

在追求极致性能与能效平衡的移动计算时代，您是否正在为下一代智能设备寻找一颗既能提供澎湃数据带宽，又能保持冷静低功耗的核心存储器？答案或许就藏在EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR之中。这颗来自存储巨头美光科技的8Gb LPDDR2移动SDRAM，正是为突破性能瓶颈、延长设备续航而生的关键组件。它不仅仅是一颗存储芯片，更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的加速引擎。

想象一下，您的高端平板电脑或工业级手持设备，需要流畅运行复杂的图形应用或实时处理海量传感器数据。EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR凭借其高达533MHz的时钟频率和128M x 64的并行接口，能够瞬间响应处理器的每一个指令，确保多任务切换如丝般顺滑，图形渲染毫无迟滞。无论是沉浸式的游戏体验，还是精准的工业控制界面，它都能提供稳定可靠的高速数据吞吐。其宽广的1.14V至1.95V工作电压范围，结合先进的移动LPDDR2技术，意味着它能在提供强劲性能的同时，显著降低整体系统功耗，让您的设备在性能巅峰状态也能拥有令人惊叹的续航能力。这正是选择与可靠的美光中国代理合作的价值所在您获得的不仅是顶尖的原厂芯片，更是经过验证的能效解决方案。

从炙热的户外到严寒的车间，环境的挑战从未停止。这颗芯片拥有-40°C至85°C的宽温工作范围，采用坚固的216-WFBGA封装，确保在各种严苛条件下依然稳定运行，为车载信息娱乐系统、户外监控设备、便携式医疗仪器等应用提供了坚实的可靠性保障。选择EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR，就是选择了一份对产品品质和长期稳定性的承诺。它帮助您简化设计，加速产品上市进程，让您能够更专注于产品创新与用户体验的提升，最终在终端用户心中建立起强大、可靠、持久的品牌形象。

• 型号:EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR的官网价格：1000:$12.58565，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。