EDB8164B4PT-1DIT-F-D

在追求极致性能与能效平衡的今天，您的下一代智能设备是否还在为内存带宽不足或功耗过高而妥协？答案就在EDB8164B4PT-1DIT-F-D。这颗来自美光科技的8Gb移动LPDDR2 SDRAM，不仅仅是一颗存储芯片，更是您产品实现流畅体验与持久续航的强劲心脏。它采用先进的533MHz时钟频率与并联接口，提供高达128M x 64的宽阔数据通道，确保海量数据能够如高速公路般快速、稳定地传输，彻底告别卡顿与延迟，让您的应用响应如丝般顺滑。

无论是需要长时间运行的物联网终端、对功耗极其敏感的便携式医疗设备，还是运行在严苛环境下的工业自动化控制器，EDB8164B4PT-1DIT-F-D都能完美胜任。其宽广的1.14V至1.95V工作电压范围与低功耗特性，让设备在获得强大数据处理能力的同时，显著延长电池寿命。更令人安心的是，它能在-40°C到85°C的极端温度下稳定工作，确保您的产品无论身处冰天雪地还是炎热车间，都能持续可靠地运行。选择它，就是为您的产品注入了全天候、全场景的卓越适应力。

当您决定为产品选择一颗可靠的内存核心时，EDB8164B4PT-1DIT-F-D提供了无可辩驳的选型理由。它集高性能、低功耗、高可靠性于一身，其216-WFBGA的紧凑封装，极大节省了宝贵的PCB空间，助力您设计出更轻薄、更精巧的产品。更重要的是，通过与值得信赖的Micron代理商合作，您不仅能获得原装正品保障和稳定的供货支持，还能得到专业的技术选型建议，让您的产品开发之旅更加顺畅高效。立即行动，让这颗芯片成为您产品领先市场的秘密武器，开启性能与能效双赢的新篇章。

• 型号:EDB8164B4PT-1DIT-F-D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• EDB8164B4PT-1DIT-F-D的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。