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EDB8164B4PT-1D-F-R TR供应商
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EDB8164B4PT-1D-F-R TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:216-FBGA(12x12)
- 技术参数:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
- (专注销售Micron电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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EDB8164B4PT-1D-F-R TR参数详情:
在追求极致性能与能效平衡的移动计算时代,您是否还在为设备的内存带宽瓶颈而困扰?当应用加载缓慢、多任务切换卡顿成为用户体验的隐形杀手,选择一颗强大的内存核心至关重要。今天,我们为您带来能够彻底改变游戏规则的解决方案EDB8164B4PT-1D-F-R TR。这颗来自美光科技的8Gb移动LPDDR2 SDRAM芯片,以其高达533MHz的时钟频率和128M x 64的宽位架构,瞬间打通数据洪流的任督二脉,让信息在设备内部以前所未有的速度奔腾。
想象一下,在您手中的高端平板电脑、智能POS机或工业级手持设备中,这颗芯片正悄然发挥着核心作用。无论是流畅运行复杂的图形界面、快速处理高分辨率图像,还是在严苛的工业环境下稳定记录海量数据,EDB8164B4PT-1D-F-R TR都能轻松应对。其1.14V至1.95V的宽电压供电范围,配合-30°C到85°C的宽温工作能力,意味着它不仅能为消费电子带来更长的续航,更能无畏地嵌入到车载信息娱乐系统、户外监控设备等环境多变的领域,提供始终如一的可靠性能。选择它,就是为您的产品注入了持久而强劲的生命力。
那么,为何众多领先的设计师和工程师都将信任票投给这颗芯片?答案在于它无可比拟的综合价值。它不仅仅是一个存储元件,更是提升整机竞争力的关键拼图。其216-WFBGA的紧凑封装和表面贴装设计,为PCB布局节省了宝贵空间,让您的产品设计更轻薄、更精巧。更重要的是,通过与值得信赖的美光芯片代理合作,您不仅能获得原厂品质的保证和稳定的供货支持,更能获得专业的技术选型指导,确保这颗高性能芯片的能量在您的系统中得到百分百的释放。从提升终端用户体验到优化整体BOM成本,EDB8164B4PT-1D-F-R TR都代表着一次明智而高效的投资。
- 型号:EDB8164B4PT-1D-F-R TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:216-FBGA(12x12)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:128M x 64
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:216-WFBGA
- 供应商器件封装:216-FBGA(12x12)
- EDB8164B4PT-1D-F-R TR的官网价格:1000:$11.43326,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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