EDB8164B4PT-1D-F-D

在追求极致性能与能效平衡的移动计算时代，您是否还在为设备的内存带宽瓶颈而困扰？想象一下，当您的智能终端需要同时处理高清视频流、复杂图形渲染与多任务后台运算时，一颗响应迅捷、功耗精良的内存芯片，正是决定用户体验流畅与否的关键心脏。今天，我们为您带来的EDB8164B4PT-1D-F-D，正是这样一款专为高性能移动应用而生的LPDDR2 SDRAM解决方案，它不仅仅是一颗存储芯片，更是您产品释放潜能的加速引擎。

这颗来自美光科技的8Gb并行DRAM，以其533MHz的高时钟频率和128M x 64的宽位配置，提供了充沛的数据吞吐能力。无论是高端平板电脑需要瞬间加载大型应用，还是车载信息娱乐系统流畅运行3D导航与多媒体，亦或是工业级移动设备在严苛环境下稳定进行数据采集与处理，EDB8164B4PT-1D-F-D都能轻松应对。其1.14V至1.95V的宽电压供电范围，结合移动LPDDR2技术天生的低功耗特性，意味着在提供强劲性能的同时，能显著延长电池续航，让您的设备在竞争中赢得“更持久”的用户口碑。选择我们，您不仅是选择了一颗芯片，更是选择了一个可靠的合作伙伴作为专业的美光中国代理，我们确保您能获得稳定、正品的货源与全面的技术支持。

为何众多领先的设计师青睐EDB8164B4PT-1D-F-D？答案在于它精准命中了市场对高性能与低功耗的双重渴求。在-30°C到85°C的宽温范围内稳定工作，使其能够从容应对从消费电子到工业控制的多样化环境挑战。216-WFBGA的紧凑封装，为PCB布局节省了宝贵空间，让您的产品设计更加纤薄、集成度更高。当您致力于打造响应如飞、续航无忧的下一代智能设备时，这颗芯片所提供的不仅仅是参数表上的数据，更是一种让产品脱颖而出的确定性价值。它代表着一种承诺：承诺您的设备核心拥有高速、可靠的数据交换能力，承诺您的用户获得无延迟、不卡顿的卓越体验。

• 型号:EDB8164B4PT-1D-F-D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• EDB8164B4PT-1D-F-D的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。