EDB8164B4PR-1D-F-R TR

在追求极致性能与能效平衡的今天，您的下一代移动设备或嵌入式系统是否还在为内存带宽瓶颈而妥协？想象一下，当应用流畅切换、高清视频实时渲染、多任务并行处理时，一颗强大而高效的内存芯片如何成为体验升级的隐形引擎。现在，答案就在EDB8164B4PR-1D-F-R TR之中。

这颗来自美光科技的8Gb移动LPDDR2 SDRAM，绝非普通的存储器。它采用先进的533MHz时钟频率与并联接口，为您提供高达每秒数GB的数据吞吐量，让系统响应如丝般顺滑。其宽广的1.14V至1.95V工作电压范围，结合低功耗设计，意味着它既能满足高性能应用的爆发需求，也能在待机或轻负载时极致省电，显著延长电池续航。从-30°C到85°C的宽温工作能力，确保了它在严苛环境下的稳定可靠，无论是炎夏户外还是寒冬车载，性能始终如一。

这正是它大展身手的舞台：高端智能手机、平板电脑需要它来承载绚丽的UI动画与大型游戏；车载信息娱乐系统、工业网关依赖它的稳定与宽温特性保障7x24小时运行；无人机、AR/VR设备则借助其高带宽与低功耗实现实时高清图传与沉浸式交互。选择EDB8164B4PR-1D-F-R TR，您选择的不仅是一颗芯片，更是一个经过市场验证的成熟解决方案。它源自存储领域的领导者美光科技，并通过其可靠的美光授权代理网络进行供应，保障了原装正品与稳定的货源。其216-ball FBGA小型化封装，为您节省宝贵的PCB空间，让设计更紧凑。当您寻求在性能、功耗、可靠性与成本间找到最佳平衡点时，这颗芯片就是那个让产品脱颖而出的关键拼图，助您轻松构建更具竞争力的智能终端。

• 型号:EDB8164B4PR-1D-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:216-FBGA（12x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:128M x 64
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:216-WFBGA
• 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
• EDB8164B4PR-1D-F-R TR的官网价格：1000:$11.43326，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。