




EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR
- 制造厂商:Micron(中文名:美光科技)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:134-VFBGA(10x11.5)
- 技术参数:IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
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EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR参数详情:
在追求极致性能与能效平衡的移动设备设计中,您是否曾为存储方案的选型而反复权衡?当市场对更流畅的多任务处理、更持久的续航能力提出双重挑战时,EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR的出现,正是为破解这一难题而生。这颗来自美光科技的移动LPDDR2 SDRAM芯片,以其2Gb(64M x 32)的并行存储容量和高达533MHz的时钟频率,为您的高速数据吞吐需求提供了坚实保障。更令人心动的是,其工作电压范围宽达1.14V至1.95V,配合-40°C到125°C的宽温工作范围,意味着它能在各种严苛环境下保持稳定高效,为您的产品注入全天候的可靠“记忆芯”。
想象一下,它将如何赋能您的下一代产品?在高端智能手机中,它能确保应用切换如丝般顺滑,大型游戏加载瞬间完成;在工业平板和车载信息娱乐系统里,它能从容应对复杂的数据处理和实时图形渲染,无惧高温或严寒的考验;对于需要长时间待机的物联网设备而言,其低电压特性更是延长电池寿命、实现绿色节能的关键。这颗采用134-VFBGA封装、表面贴装的芯片,以其紧凑的尺寸和卷带包装,完美适配自动化生产线,让您的量产效率大幅提升。选择它,就是选择为您的智能终端装备一颗强劲且“懂事”的心脏,它知道何时该全力奔跑,何时该悄然省电。
那么,为何EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR是您不容错过的选择?答案在于其无可比拟的综合价值。它不仅仅是一颗存储芯片,更是美光尖端移动存储技术的结晶,代表了高性能与低功耗的黄金平衡点。在“最後”的阶段入手,意味着您能以极具竞争力的成本,锁定这款经过市场验证的成熟方案,显著缩短研发周期,快速响应市场。更重要的是,通过值得信赖的美光中国代理渠道获取,您获得的不仅是正品保障和稳定的供货支持,更是一份关于产品可靠性与长期服务的承诺。立即行动,让这颗强大的芯片成为您产品领先于市场的秘密武器,共同开启智能设备性能与体验的新篇章。
- 型号:EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:134-VFBGA(10x11.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:64M x 32
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:134-VFBGA
- 供应商器件封装:134-VFBGA(10x11.5)
- EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















