无可比拟的带宽和低延迟

我们的的RLDRAM路线图，包括下一代RLDRAM 3，我们目前的RLDRAM 2代内存的扩展支持。

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我们的减少延时DRAM（RLDRAM堀储器）是一种高性能，高密度内存解决方案 ，提供快速SRAM，如随机存取和甚至超过了最先进的DDR3持续的高带宽。 RLDRAM使用的创新电路设计，以尽量减少访问和周期的开始和第一数据是可用的瞬间之间的时间。 这些特征使得RLDRAM 的理想选择万兆以太网，40GbE的，和100G的数据包缓冲和检查 ，并且它支持多种FPGA和网络处理器解决方案。

总结 全部零件目录（88）

技术 密度 RoHS指令 深度 宽度 电压 包 引脚数目 时钟速率 周期时间 运算。 温度。

RLDRAM 2

62个产品 288MB ， 576MB 5/6 ， 不 ， 是 8兆 ， 16兆 ， 32兆 ， 64兆 X9 ， X18 ， X36 1.8V UBGA 144球 300兆赫 ， 400兆赫 ， 533兆赫 1.875ns ， 2.5ns的 3.3ns 0°C至+95 -40C至+95

RLDRAM 3

26个产品 576MB ， 1.15Gb 是 16兆 ， 32兆 ， 64兆 X18 ， X36 1.35V FBGA 168球 800兆赫 ， 933兆赫 ， 1067兆赫 为8ns ， 为10ns ， 12ns的 0°C至+70°C ， 0°C至+95 -40C至+85 C

优点 文档和支持 常见问题 博客

有三种密度，为许多设计提供了灵活性

可在宽总线宽度最小的部件数量在宽总线配置的系统中，共同或单独的I / O

HSTL和SSTL I / O兼容性

增加经营范围为在极端环境下的最佳功能

快速随机访问

可持续性能高

启用洁净，高频率的操作

增加电路板设计的灵活性

必不可少的测试板具有高的部件数量

特色文章

合作伙伴生态系统

作为全球领先的内存供应商，我们能够提供我们的首选合作伙伴，与早期提供的产品样本，常规产品和市场最新动态，洞察新的存储技术，和专门的资源。

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赛灵思/美光存储器接口解决方案

从赛灵思与美光科技公司的Virtex-7 FPGA和一个Micron的RLDRAM 3内存设备的下一代存储解决方案演示。